目前，UVC LED芯片表面的主要问题是氮化铝材料难以生长，严重的预反应导致低转换效率。

散热问题

根据节能原理，未转化为光的电能以热能的形式呈现，LED芯片的使用寿命与温度成反比。由于紫外LED芯片发光效率低，产生的热量高，需要极高的散热。

根据现有的散热方法，大功率UVB/UVC发光芯片很难实现有效的散热。即使在多芯片集成UVC LED光源中，也有一些需要安装冷却风扇，这增加了成本。

良率问题

UVC LED芯片光电转换效率低，很难在短时间内实现质的飞跃。在这一阶段，行业通常会调整材料和功率，以实现功率改进。

然而，由于外延芯片上存在大量表面缺陷，小尺寸（低功率）可以避免切割阶段的缺陷，而大尺寸则更难避免，导致大尺寸（高功率）芯片的成品率较低。、

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